蘑菇的种植技术

一、蘑菇的种植技术

选择在地势较高、通透性好的地方建种植察掘颂大棚，用家畜粪便、麦草、麸皮、稻草、玉米杆等堆制养料，一层草料一层粪便，半个月可完成堆制，采用采用的穴播的方式进行接种，每株间距10厘米。出菇初期湿度控制在70%左右，浇水遵循少量勤浇的原则，出菇期将温度调高到20-28℃左右，蘑菇长到一定大小时进行采收。

一、建设种植大棚

选择在地势较高、地面平坦、周围比较空阔，通透性好的地方建种植大棚，大棚要选用散射光材质的，地面需要用水泥修葺，这样方便冲洗，留有窗户或者是卷帘，这样可以增强通透性，在菇房内要设好菇床，可木制、可铁制、还可砖砌。

二、堆制养料

在七月份左右的时候用家畜粪便、麦草、麸皮、稻草、玉米杆等堆制养料，粪便晒干、其他的材料需要切断，然后混合适量的石膏，用水或尿浸透，再按照一层草料一层粪便的堆起来进行发酵。一般间隔3-4天翻一次堆，大概半个月后即可完成堆制。

三、接种

1、养料堆制完成之后，接种之前需要对菇房进行一次彻底的消毒杀菌，消毒完成后将堆制好败郑的养料搬入菇房中，在菇床上铺好，然后将关闭门窗，将室内的温度调高到60℃左右，三个小时之后将温度降低10℃，维持这个温度一周，让养料彻底的发酵。

2、等到养料的温度降低到25℃左右时，开始进行蘑菇接种，将养料在菇床上整平，厚度要达散消到15厘米左右，接种采用的穴播的方式，每株间的间隔为10厘米左右，适当播密可以提高发菌速度。最后将细肥土均匀的覆盖在养料上面，即可等待发菌。

四、采收

保持养料的湿度，在出菇初期湿度一般是在70%左右，后期慢慢的恢复到80%-90%左右即可，在浇水的时候，我们要遵循少量勤浇的原则。出菇房在发菌期间的温度最好是保持在10-18℃左右，在出菇期将温度调高到20-28℃左右，这样可以加快出菇的速度。等到蘑菇长到一定大小的时候，就可以进行采收了。

二、种植蘑菇的方法与技术

种植蘑菇的方法与技术是：准备基质、用具消毒、种植步骤、养护工作。

1.准备基质

想要种植蘑菇，就要准备好用于栽培蘑菇的基质。蘑菇不同于一般的植物，它是菌落的集合体，因此在栽种的时候根据菌种的不同而会对基质有不同的要求，我们一般直接购买带有基质的菌包即可，并不推荐自行调配。

2.用具消毒

在蘑菇的养殖过程中，最为重要的还是用具和环境的消毒处理。蘑菇本身并不是枣消植物，它是微型生物的菌落聚合体，因此如果在栽培的环境中存在着大量的异种菌落如霉菌等，就会造成蘑菇的生长发育异常甚至直接死亡。

3.种植步骤

小规模的种植蘑菇的核源话，一般不需要准备过多的东西，直接购买带有培养基质的菌种，然后准备棉籽壳、熟石灰和木屑等混合调配成的材料，将基质放在材料上，稍稍的喷一些水让其变得湿润，放在阴暗潮湿的地方即可。

4.养护工作

蘑菇是微生物改岩态的聚落，因此对于太阳光是比较抗拒的，光照的强度较高的话会引起蘑菇的死亡，因此日常养护时要将其放在较为阴暗潮湿的地方，不让其接受到直射的阳光，温度稳定在大约5-32摄氏度左右就是最合适的。

三、蘑菇的种植方法

1、栽种时间

蘑菇对环境的要求不高，喜欢生长在温暖潮湿的地方，若是能很好的控配尺唯温保湿，一年四季都能栽种。不过更建议选在春季种，湿度高，气候温暖些，更能满足需求。

2、菌种选择

种植蘑菇要先选择菌种。可以用面粉和适量清水搅拌发酵，或者直接去购买蘑菇菌种进行种植，这样更简单，方便。

3、土壤要求

土壤要调配成疏松，透气且排水能力好肥沃度高的。栽培的时候主要用蘑菇土，适量加入田园土，腐殖土当它的基质来进行种植。

4、菌种种植

先将备好的菌种种在土壤里，适量喷水，让土壤湿润些。之后及时覆盖一层塑料膜来保湿处理。温度应控温培培在25度左右，温度困和适宜能加速蘑菇的生长，大概一周左右菌种就能生长处理。

5、后期管理

初期蘑菇惧怕光照，要遮光处理，不能放在光线下。若是温度过高，要适量洒水提高湿度，帮助降温。此外，还要保湿处理，每间隔两三天就要浇水一次，不需给肥，湿度温度适宜它就能很好的生长。

四、求蘑菇的种植技术

蘑菇的种植技术需考虑以下几个方面：

1、环境上，要求地势较高，四周开阔，防风防雨，室内能保温保湿，通风透光，蘑菇菇局型床可用竹制，木制或铁制，横档以毛竹或杂木搭架，摊上芦垫等；

2、培养料的堆制上，培养料要经堆制发酵处理，分解为可供蘑菇吸收利用的营养物质，蘑菇培养料主要是用家畜、家禽粪便和麦草、稻草等配制而成，发酵主要通过室内加温的方式，室内加温可用煤炉或蒸汽管道，并维持室内一定湿度，使培养料充分发酵；

3、播种及覆土，当室温下降到28度以下时，即可开始播散此种，将培养料整理成平面，厚度12至15厘米，采用穴播即一个穴一个穴的播种，播种后需注意保湿；

4、水份管理上，蘑菇的水分管理要做到少喷勤喷，培养料和覆土层基本是底部湿上桐掘猜部干，内部湿外部干，温度保持在10至18度，最适宜于实体形成生长。